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六寸導電型晶錠與四寸半絕緣晶錠

     4英寸半絕緣型碳化硅晶體，微管密度<0.5cm^-2，電阻率＞10⁶Ω·cm，無明顯裂紋、包裹體、多型等缺陷，產(chǎn)品符合行業(yè)工業(yè)級標準，處于行業(yè)領先水平。

     6英寸導電型碳化硅微管密度<0.1cm^-2，總位錯密度＜8000cm^-2，電阻率為0.015~0.025Ω·cm，無明顯裂紋、包裹體、多型等缺陷，產(chǎn)品符合行業(yè)工業(yè)級標準，處于行業(yè)領先水平。

激光剝離技術

        乾晶半導體研發(fā)新型的切片技術，有望解決碳化硅加工過程中材料損耗大的問題，工藝路線如下圖所示。激光剝離技術的核心是利用激光脈沖在晶錠內部預設深度形成碳化硅的非晶化破壞層，再借助外力作用，使晶片從非晶化層處分離，從而獲得目標厚度的晶片。通過激光剝離獲得晶片的方法，加工過程材料損耗低，晶圓表面缺陷層厚度小，總材料損耗率可降低到20%左右，有望極大降低晶片的成本。與多線切割相比，激光加工過程無廢液產(chǎn)生，對環(huán)境更加友好。激光加工不受材料硬度的限制，對于超硬材料具有很好的加工效率。

        此項技術不僅可以應用在碳化硅的切片領域，對于器件加工后的碳化硅和氮化鎵襯底再利用同樣具有應用的前景，可降低昂貴襯底上的器件單位成本。目前團隊正在優(yōu)化激光加工工藝和剝離技術，并尋求該技術的產(chǎn)業(yè)化合作。

8英寸導電型碳化硅

     在大尺寸碳化硅（SiC）單晶生長及其襯底制備方面取得突破。采用多段式電阻加熱的物理氣相傳輸（PVT）法生長了厚度達27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠，并加工獲得了8英寸碳化硅襯底。