乾晶半導(dǎo)體
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生長(zhǎng)出來(lái)的碳化硅晶錠通過(guò)X射線定向儀,標(biāo)記出所要加工的晶面以及晶面偏角,采用平面磨加工出所需晶面和定位邊,再通過(guò)外周滾圓將晶錠加工成一定直徑的“圓柱體”。
在多線切割的工序中,將“圓柱體”切成一定厚度的“薄片”,對(duì)“薄片”的外周進(jìn)行倒角后,并對(duì)每個(gè)“薄片”進(jìn)行激光打碼標(biāo)記,就成為待加工的“毛坯片”。
采用砂輪減薄和研磨相結(jié)合,將“毛坯片”表面的線切割損傷層去除,通過(guò)一步一步的研磨將“毛坯片”的厚度起伏(TTV和LTV)降低,同時(shí)降低表面粗糙度,最后通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光將“毛坯片”的表面粗糙度降低到0.2nm以下。
最終“毛坯片”還需要經(jīng)過(guò)一系列的化學(xué)清洗,以去除前道工序的化學(xué)殘留、表面的顆粒和金屬,得到可以應(yīng)用在外延工序的碳化硅襯底。