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襯底片面型輪廓檢測(cè)

       利用碳化硅襯底上下表面與光相互作用的干涉圖案，可以分析碳化硅襯底的厚度變化（TTV和LTV），襯底的翹曲度（warp）和彎曲度（bow）等重要的襯底面型指標(biāo)。

拋光片或外延片的表面缺陷分析

       利用激光在襯底表面的散射，可以分析襯底表面上的顆粒大小和缺陷形態(tài)，通過(guò)激光對(duì)襯底表面的面掃描，可以獲得襯底上顆粒和缺陷的面分布情況，同時(shí)在光致發(fā)光（PL）功能模塊的幫助下，可以進(jìn)一步分析襯底內(nèi)部的缺陷復(fù)合中心，為襯底質(zhì)量評(píng)估提供更全面的信息。

各種類型襯底片表面粗糙度分析

       通過(guò)原子力探針（AFM）的快速敲擊和掃描襯底表面，獲得表面相關(guān)的納米級(jí)別的高低起伏等信息，提供襯底表面粗糙度的定量分析。

晶體和襯底片的結(jié)晶質(zhì)量分析

       通過(guò)測(cè)量X射線搖擺曲線，獲得襯底或者晶體某一晶面的衍射峰強(qiáng)度和角度分布，根據(jù)衍射信號(hào)半峰寬的大小來(lái)判定晶面間距的一致性，進(jìn)而判定結(jié)晶質(zhì)量。

SiC多型面分布檢測(cè)

       不同結(jié)晶組分的碳化硅在襯底中的分布，是通過(guò)對(duì)襯底面掃描獲得Raman信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。由于4H晶型和6H晶型的碳化硅具有不同的Raman信號(hào)峰，因此通過(guò)選定峰位范圍的光強(qiáng)收集，可以區(qū)分出不同區(qū)域的晶型。

襯底片或外延片的電阻率檢測(cè)

        導(dǎo)電型碳化硅的電阻率是通過(guò)渦流法進(jìn)行檢測(cè)的，導(dǎo)電線圈在導(dǎo)電襯底上形成渦流，渦流產(chǎn)生磁場(chǎng)變化被傳感器偵測(cè)到，可以計(jì)算出襯底的方塊電阻，渦流的檢測(cè)原理如下左圖所示；半絕緣型碳化硅的電阻率是通過(guò)電容探針?lè)ㄟM(jìn)行檢測(cè)的，在襯底上施加電壓的瞬間，通過(guò)偵測(cè)電荷的變化，來(lái)計(jì)算襯底的電阻率，該檢測(cè)原理如下圖所示

襯底位錯(cuò)密度和微管密度面分布檢測(cè)

        要獲取碳化硅襯底位錯(cuò)密度和微管密度分布的信息，首先在高溫熔融氫氧化鉀中腐蝕碳化硅襯底片，然后在光學(xué)顯微鏡或者類似的光學(xué)成像系統(tǒng)中，進(jìn)行分區(qū)域的圖像識(shí)別，并計(jì)算單位面積（視場(chǎng)）的對(duì)應(yīng)缺陷密度，由于不同的缺陷類型，如螺位錯(cuò)（TSD）、刃位錯(cuò)（TED）、基平面位錯(cuò)（BPD）和微管（MPD）有自己的典型圖案特征，因此可以通過(guò)計(jì)算機(jī)圖像識(shí)別加以區(qū)分。