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SiC單晶結(jié)構(gòu)

       SiC單晶制備難點(diǎn)：> 220種晶型，最常見：3C(立方晶系)，2H、 4H和6H(六方晶系)，15R(三方晶系)；SiC沒有熔點(diǎn)，無法用熔體提拉法進(jìn)行制備；在1800℃以上開始升華，并分解成氣態(tài)Si, Si₂C, SiC和固態(tài)C（主要成分）；硅碳雙原子層螺旋生長機(jī)理導(dǎo)致生長過程容易產(chǎn)生晶體缺陷。

SiC晶體生長技術(shù)對(duì)比

物理氣相輸運(yùn)法生長SiC晶體

       采用中頻電源感應(yīng)加熱的方式來對(duì)石墨坩堝進(jìn)行加熱，使SiC粉末達(dá)到氣化的溫度（2100~2400度）；通過石墨坩堝、石墨保溫層與電感線圈的相對(duì)位置，來提供晶體生長方向的溫度梯度；在石墨坩堝的頂部固定碳化硅籽晶，提供晶體生長的模板；在生長方向（軸向）溫度梯度的作用下，Si，SiC₂，Si₂C和SiC分別以氣態(tài)從坩堝中輸送到碳化硅籽晶表面，形成碳化硅晶體的生長；生長過程中，需控制好溫度的梯度，以保證生長的初始階段和中間過程都能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的生長速率；生長的末期，還需要對(duì)晶體進(jìn)行退火，以減小內(nèi)部的應(yīng)力。